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在全球新能源汽車行業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，高效、可靠的電力電子組件成為推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的關(guān)鍵力量。中恒微半導(dǎo)體作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，隆重推出 Mini Z3 封裝的車用 IGBT 模塊，采用新一代的750V 新技術(shù)車規(guī)級芯片，進(jìn)一步提升車用IGBT模塊的性能。
一、產(chǎn)品介紹
中恒微Mini Z3 封裝功率模塊優(yōu)先推出750V-650A 產(chǎn)品，采用三相六單元電路拓?fù)?/strong>，型號：6H650H08A1P。
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產(chǎn)品電壓：750V
產(chǎn)品電流：650A
產(chǎn)品特點(diǎn)：
① 阻斷電壓750V
② 低飽和壓降
③ 低開關(guān)損耗
④ 低柵極電荷和反向傳輸電容
⑤ 低雜散電感設(shè)計(jì)
應(yīng)用方向
汽車應(yīng)用
混合動(dòng)力汽車
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
商用農(nóng)業(yè)機(jī)車
二、芯片介紹
中恒微半導(dǎo)體的新一代750V 車規(guī)級 IGBT 芯片采用薄化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，帶來顯著的性能提升。
(a) 降低導(dǎo)通壓降
通過減少芯片厚度，載流子路徑長度縮短，導(dǎo)通電阻降低，導(dǎo)通壓降（Vce (sat)）顯著降低約 15%，提升了器件的能效和熱性能。
(b) 優(yōu)化抗震蕩能力
針對芯片薄化可能帶來的耐量損失和開關(guān)震蕩問題，通過深入分析芯片內(nèi)部電場分布和空穴密度變化，采用背面結(jié)構(gòu)方案進(jìn)行改善。在關(guān)斷測試中展現(xiàn)出更好的抗震蕩能力，有效控制高 di/dt 條件下載流子的排除速度，降低開關(guān)過程中的震蕩風(fēng)險(xiǎn)。
(c) 抑制短路柵極震蕩
三、性能介紹
(a) 在安全工作區(qū)方面，Mini Z3 采用雙脈沖測試，可滿足兩倍額定電流（1300A）下正常關(guān)斷，雙脈沖波形無震蕩，具備高安全性。
(b) 在電性能方面，通過靜態(tài)測試和動(dòng)態(tài)測試結(jié)合評估，相較于原采用的車規(guī)級750V 芯片，在相同封裝測試條件下進(jìn)行了測試對比，開關(guān)性能均有顯著提升，開關(guān)波形光滑，沒有震蕩，安全性高。
(c) 得益于新技術(shù)芯片的低損耗特性，中恒微車規(guī)級 IGBT 模塊的能效得到了顯著提升。同時(shí)，高電流密度使得功率密度更大，能夠在更小的體積內(nèi)提供更大的功率輸出。搭配中恒微成熟的車規(guī)級封裝工藝，產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下依然能夠可靠工作。
四、工藝介紹
(a) Mini Z3在工藝上進(jìn)行了技術(shù)升級。功率端子和信號端子采用先進(jìn)的超聲焊技術(shù)，提升了焊接精度與強(qiáng)度。該技術(shù)使材料在分子層面熔合，增強(qiáng)了焊接部位的強(qiáng)度和耐久性，并降低了電阻率變化，提高了導(dǎo)電性能及可靠性。
(b) 底部散熱器采用橢圓形設(shè)計(jì)，相比傳統(tǒng)圓柱形散熱柱，提供了更大的接觸面積，熱傳導(dǎo)效率更高，溫度降低約10℃，散熱能力得到提升。此外，此設(shè)計(jì)有助于減少底部應(yīng)力集中，降低因熱膨脹導(dǎo)致的損壞風(fēng)險(xiǎn)。
車用 IGBT 模塊市場應(yīng)用前景廣闊，隨著新能源汽車對高性能電力電子組件的需求日益增長，中恒微 Mini Z3 車用 IGBT 模塊的高效率和高可靠性將成為市場上的有利競爭優(yōu)勢，產(chǎn)品的未來表現(xiàn)值得期待。
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合肥中恒微半導(dǎo)體有限公司
